Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 1

Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością

nr katalogowy: 57455

Prace badawcze nad nowymi materiałami półprzewodnikowymi prowadzone w latach 90-tych ubiegłego wieku doprowadziły w efekcie do produkcji przyrządów półprzewodnikowych o właściwościach istotnie korzystniejszych od odpowiednich przyrządów bazujących na krzemie [1, 2]. Dotyczy to zwłaszcza parametrów dynamicznych (przejściowych) szczególnie istotnych przy przekształcaniu energii z wysoką częstotliwością, a także temperatury pracy. Jednym z nowych materiałów stosowanych obecnie w technice półprzewodnikowej jest węglik krzemu. Diody Schottky`ego wytwarzane na bazie tego materiału osiągają napięcie 1200 V i prądy rzędu kilkudziesięciu i więcej amperów. Przykładowo firma Infineon oferuje moduły tranzystorowe (IGBT) z unipolarnymi diodami zwrotnymi (SiC) o prądzie 360 A i napięciu 1200 V [10], podczas gdy odpowiednie napięcie unipolarnych diod krzemowych nie przekracza 250 V. Z kolei amerykańska firma Powerex prezentuje na razie jako sygnalne moduły tranzystorowo diodowe (MOSFET-SiC) [11] o prądzie 100 A i napięciu 1200 V. Tak więc można już na bazie tych przyrządów projektować przekształtniki o mocy kilkunastu, a przy łączeniu równoległym elementów kilkudziesięciu kilowatów pracujące z częstotliwością wyższą niż umożliwiają to odpowiednie przyrządy bazujące na krzemie. Ponieważ przyrządy te są elementami stosunkowo nowymi ważne jest poznanie ich właściwości zwłaszcza przez badania eksperymentalne prowadzone w przekształtnikach o różnych topologiach. Uzyskane wyniki będą stanowiły istotny materiał pomocny przy opracowywaniu konkretnych urządzeń o różnym przeznaczeniu. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań diod unipolarnych SiC oraz tranzystorów współpracujących z tymi diodami w procesie komutacji prądu, prowadzonych w układzie testującym o częstotliwości zmienianej w granicach 10…200 kHz. Zaprezentowano także dane porównawcze dotyczące własności dynamicznych diod unipolarnych SiC oraz ultraszybkich bipolarnych dio[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 57455 "Właściwości diod Schottky..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-1 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-12 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-1

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma